تحقیق درمورد DRAM گذشته ، امروز ، آينده با فرمت word

مقدمه :

همانطوريكه مي دانيم امروزه بشر در عصر ارتباطات و تكنولوژي به حافظه براي تجهيزات مختلف نيازمند است . يكي از انواع حافظه ها DRAM يا Dynamic Random memory مي باشد كه اين DRAM ها مصارف مختلفي دارند از جمله در Computing ، infrastueture ، Entertainment و infocom و جاهاي ديگر صنعتي.

براي ساخت DRAM در تكنولوژيهاي مختلفي استفاده شده است كه ما در اينجا از ساده ترين DRAM ها شروع مي كنيم كه از يك ترانزيستور و خازن و AMP استفاده شده است و به ساختار DRAM هاي 1k و 4k و 16k و ... مي پردازيم . و نهايتاً يكي از تكنولوژيهاي جديدي كه در ساخت DRAM ها بكار رفته است را شرح مي‌دهيم . اين تكنولوژي هاي ساخت DRAM با استفاده از SO1 (Silicon on islatnr) مي باشد .

بنابراين بطوركلي اين روژه از 2 قسمت تشكيل شده است . قسمت اول آن مربوط به توضيح راجع به DRAM ها (از جهات مختلف) و مقايسه و كاربرد آنها و ... مي باشد و قسمت دوم پروژه مربوط به توضيح راجع به تكنولوژي SO1 و كاربرد آن در DRAM مي باشد .

شرح پروژه :

قسمت اول , ساختمان و خصوصيات DRAM :

DRAM در واقع مخفف Dynamic Random Access Memory است كه حالت ساده آن به شكل زير است كه از يك ترانزيستور ساده و خازن و يك AMP تشكيل شده است .

DRAM ها داراي خصوصياتي از جمله Read و Write هستند . اساس سلول DRAM از نظر Cross-Section و Layout در شكل زير مشخص است و عيب اين روش area مي باشد . علاوه بر اين ، 2 خصوصيت عمده از DRAM ها ذكر شده است كه عبارتند از :

1-Stacked cell(Expand up) : طبق شكل

2-Trench cell(Expand Down) : طبق شكل

همانطوريكه گفته شد DRAM مي تواند عمل Read و Write را انجام دهد .

براي عمل write بايد bitline يا در حالت high باشد يا low و word line بايد از موقعيت high باشد .

اما براي عمل Read bitline در وضعيت precharge است تا ولتاژ halfway شود (يعني حالت high و Low) و باز هم Word Line در وضعيت high است .

در DRAM يك AMP حسي داريم كه وضعيت charge را آشكار مي كند و اين Charge به خازن وابسته است .

توجه به اين نكته ضروري است كه DRAM ها به refresh نياز دارند (برعكس SRAM ها) زيرا داراي جريان نشتي هستند . همچنين آدرسها در DRAM به 2 قسمت تقسيم مي شود :

1-RAS (Row Access Strobe)

2-Cas (Column Access Strobe)

پارامترهاي كليدي Timing در يك DRAM :

1- : كمترين زمان از Ras Line تا يك ديتاي خروجي معتبر و با ارزش كه اين زمان مثلاً براي يك 4Mb DRAM حدوداً 60ns است .

2-: كمترين زمان از شروع يك row Access تا شروع بعدي كه اين زمان براي يك 4Mbit DRAM با تقريباً است .